可控硅分析

注意：因業務調整，暫不接受個人委托測試，望見諒。

檢測信息（部分）

檢測項目（部分）

• 正向重復峰值電壓——器件在正向阻斷狀態下可承受的最大重復電壓
• 反向重復峰值電壓——器件在反向阻斷狀態下的最大耐受電壓值
• 門極觸發電流——使器件從關斷轉為導通所需的最小控制電流
• 維持電流——保持導通狀態所需的最小陽極電流
• 浪涌電流承受能力——短時間內承受非重復性過載電流的能力
• 結溫升測試——工作狀態下半導體結的溫度變化監測
• 開關時間——包含開通時間與關斷時間的動態特性參數
• 熱阻參數——表征器件散熱能力的核心指標
• 絕緣耐壓——器件外殼與電極間的絕緣耐受強度
• 反向恢復電荷——關斷過程中載流子復合產生的電荷量
• dv/dt耐量——器件耐受電壓變化率的能力
• di/dt耐量——導通時電流上升速率的承受極限
• 觸發電壓——門極觸發信號的最小有效電壓
• 漏電流測試——阻斷狀態下的微小電流泄漏值
• 高溫存儲試驗——模擬長期高溫環境下的性能穩定性
• 低溫啟動特性——極端低溫條件下的可靠觸發能力
• 振動耐受性——機械振動環境下的結構完整性驗證
• 濕度循環測試——評估器件在濕度變化中的抗腐蝕能力
• 鹽霧腐蝕試驗——驗證沿海等高鹽環境下的使用可靠性
• 壽命加速測試——通過應力加速模擬器件使用壽命

檢測范圍（部分）

• 單向可控硅
• 雙向可控硅
• 門極可關斷晶閘管（GTO）
• 逆導型晶閘管
• 光控晶閘管
• 快速晶閘管
• 高頻晶閘管
• 高壓晶閘管
• 大功率模塊化晶閘管
• 相位控制型晶閘管
• 非對稱晶閘管
• 反向阻斷三極管
• 集成門極換流晶閘管（IGCT）
• MOS控制晶閘管（MCT）
• 發射極關斷晶閘管（ETO）
• 平板式封裝晶閘管
• 螺栓式封裝晶閘管
• 表面貼裝型晶閘管
• 汽車級晶閘管
• 軍工級特種晶閘管

檢測儀器（部分）

• 半導體參數分析儀
• 高壓絕緣測試儀
• 動態特性測試系統
• 熱阻測試儀
• 高精度示波器
• 浪涌電流發生器
• 溫度循環試驗箱
• 振動測試臺
• 鹽霧試驗機
• 高溫老化測試系統

檢測流程

1、收到客戶的檢測需求委托。

2、確立檢測目標和檢測需求

3、所在實驗室檢測工程師進行報價。

4、客戶前期寄樣，將樣品寄送到相關實驗室。

5、工程師對樣品進行樣品初檢、入庫以及編號處理。

6、確認檢測需求，簽定保密協議書，保護客戶隱私。

7、成立對應檢測小組，為客戶安排檢測項目及試驗。

8、7-15個工作日完成試驗，具體日期請依據工程師提供的日期為準。

9、工程師整理檢測結果和數據，出具檢測報告書。

10、將報告以郵遞、傳真、電子郵件等方式送至客戶手中。

檢測實驗室（部分）

檢測優勢

1、綜合性檢測技術研究院等多項榮譽證書。

2、檢測數據庫知識儲備大，檢測經驗豐富。

3、檢測周期短，檢測費用低。

4、可依據客戶需求定制試驗計劃。

5、檢測設備齊全，實驗室體系完整

6、檢測工程師專業知識過硬，檢測經驗豐富。

7、可以運用36種語言編寫MSDS報告服務。

8、多家實驗室分支，支持上門取樣或寄樣檢測服務。

結語

以上是關于可控硅分析的檢測服務介紹，僅展示了部分檢測樣品和檢測項目，如有其它需求或疑問請咨詢在線工程師。